| 产品特性：高频高压 | 品牌：天明伟业 | 型号：DER |
| 系列：IGBT | 标称容量：TOP | 介电材料：薄膜 |
| 容差：5% | 额定电压-AC：400V | 额定电压-DC：1200V |
| 等效串联电阻(ESR)：2.0 | 工作温度范围：105 | 应用范围：高压 |
| 等级：A | 端接类型：铜头 | 引线类型：直插 |
| 引线间距：5 | 尺寸：70*60mm | 高度-安装(最大值)：70 |
| 安装类型：迈拉胶印带 | 封装/外壳：圆形 | 特性：高压高频 |
| 封装：直接 |
高频高压特种谐振电容器 专业用于新能源汽车充电谐振电路
技术性能/Specifications
引用标准/Reference standards | IEC 61071 60068 |
工作温度范围/Operating temperature range | -40~125℃ |
容量范围/Capacitance | 0.0005~4μF（500PF-4UF） |
额定电压 /Rated Voltage | 1200-8000V.AC |
容量偏差 /Tolerance | ±5% 10% |
极间耐电压 /Test voltage between terminals | 1.5Ur(DC) 10s 25±5℃ |
极壳耐电压 /Test voltage between terminals and case | 12000V 50Hz 60S, 25±5℃ |
损耗角正切/Dissipation factor | tgδ≤6×10-4 at 25±5℃ , 1KHz |
绝缘电阻/Insulation resistance | C*IR≥30000S, at 100VDC,25±5℃,60S |
预期寿命/Life expectancy | 100000h at Ur and 70℃ |
引用标准/Reference standards | IEC 61071 60068 |
工作温度范围/Operating temperature range | -40~125℃ |
容量范围/Capacitance | 0.0005~4μF（500PF-4UF） |
额定电压 /Rated Voltage | 1200-8000V.AC |
容量偏差 /Tolerance | ±5% 10% |
极间耐电压 /Test voltage between terminals | 1.5Ur(DC) 10s 25±5℃ |
极壳耐电压 /Test voltage between terminals and case | 12000V 50Hz 60S, 25±5℃ |
损耗角正切/Dissipation factor | tgδ≤6×10-4 at 25±5℃ , 1KHz |
绝缘电阻/Insulation resistance | C*IR≥30000S, at 100VDC,25±5℃,60S |
预期寿命/Life expectancy | 100000h at Ur and 70℃ |
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