| 产品特性：高压 | 品牌：DAWNCAP | 型号：DTM |
| 系列：DTM | 标称容量：2UF | 介电材料：薄膜电容 |
| 额定电压-AC：500V | 额定电压-DC：1200V | 工作温度范围：85 |
| 尺寸：45*50mm |
DTM模块吸收电容器
广泛应用于UPS、逆变器、感应加热、电焊机、
变频器等设备的IGBT模块吸收保护。.
产品特点/Characteristics
电介质：聚丙烯薄膜
结构：双面金属化与金属化膜内串结构
封装：塑料外壳，阻燃（94V-0级）环氧封装
引出：镀锡铜片引出
能承受高脉冲电流，高dv/dtESL，ESR小
具有自愈性
产品规格见附件
技术性能/Specifications
引用标准/Reference standards | IEC 61071 60068 |
工作温度范围/Operating temperature range | -40~85℃ |
容量范围/Capacitance | 0.1~10μF |
额定电压 /Rated Voltage | 630~3000V.DC |
容量偏差 /Tolerance | ± 5% 10% |
极间耐电压 /Test voltage between terminals | 1.5Ur(DC) 10s 25±5℃ |
极壳耐电压 /Test voltage between terminals and case | 3000V 50Hz 60S, 25±5℃ |
损耗角正切/Dissipation factor | tgδ≤4×10-4 at 25±5℃ , 1KHz |
绝缘电阻/Insulation resistance | C*IR≥30000S, at 100VDC,25±5℃,60S |
预期寿命/Life expectancy | 100000h at Ur and 70℃ |
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IGBT用突波缓冲吸收电容器（焊片）
DTM 查看PDF:DTM 焊片IGBT用突波缓冲吸收电容器.pdf
应用
适用于各种规格的IGBT缓冲吸收保护。
产品描述
引用标准GB/T 17702 idt IEC 61071,
GB/T 2693 idt IEC 60384-1；
双面金属化极板，聚丙烯介质无感式卷绕；
具有低的ESR和高的dv/dt特性；
可承受很大的峰-峰值电流Ipp和高频有效值电流Irms；
可提供满足各类IGBT系列化产品。
工艺特点
采用双面金属化膜做电极，以提高dv/dt特性；
可提供内置快恢复管的模块化器件。
● 性能指标 Specifications
引用标准Reference Standard | GB/T 17702 (IEC 61071) | |
气候类别Climatic Category | 40/85/56 | |
工作温度范围 （外壳耐高温度点） Temperature Range(case) | －40～+85℃ | |
额定工作电压 Rated Voltage Un | 630Vdc～3000Vdc | |
电容量范围 Capacitance Range | 0.047～9μF | |
电容量偏差Capacitance Tolerance ΔC/C | J：±5% K：±10% | |
耐电压Voltage Proof | 1.6Un ( 10s ) | |
损耗角正切Dissipation Factor | 5×10-4（1kHz,20℃) | |
绝缘电阻Insulation Resistance | IR≥100000MΩ,CN≤0.33μF | 20℃,100Vdc,1min |
IR≥30000S,CN＞0.33μF | ||
预期寿命Expected Lifetime | ≥100000h @ UN θhs=70℃ | |
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DTS无感吸收电容器
广泛应用于UPS、逆变器、感应加热、电焊机、
变频器等设备的IGBT模块吸收保护。.
产品特点/Characteristics
电介质：聚丙烯薄膜
结构：双面金属化与金属化膜内串结构
封装：塑料外壳，阻燃（94V-0级）环氧封装
引出：镀锡铜片引出
能承受高脉冲电流，高dv/dtESL，ESR小
具有自愈性
DTS
技术性能/Specifications 电容器：C3~C6
引用标准/Reference standards | IEC 61071 60068 |
工作温度范围/Operating temperature range | -40~85℃ |
容量范围/Capacitance | 0.1~10μF |
额定电压 /Rated Voltage | 630~3000V.DC |
容量偏差 /Tolerance | ± 5% 10% |
极间耐电压 /Test voltage between terminals | 1.5Ur(DC) 10s 25±5℃ |
极壳耐电压 /Test voltage between terminals and case | 3000V 50Hz 60S, 25±5℃ |
损耗角正切/Dissipation factor | tgδ≤4×10-4 at 25±5℃ , 1KHz |
绝缘电阻/Insulation resistance | C*IR≥30000S, at 100VDC,25±5℃,60S |
预期寿命/Life expectancy | 100000h at Ur and 70℃ |
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